Infineon IRFP9140NPBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1998-01-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 months ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31
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InfineonIRFP140NPBF
MOSFET, Power; N-Channel; 0.052 Ohms (Max.) @ 10 V, 16 A; 100 V (Min.); 40 degC
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Descripciones
Descripciones de Infineon IRFP9140NPBF suministradas por sus distribuidores.
Single P-Channel 100 V 0.117 Ohm 97 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247AC
MOSFET, P-CHANNEL, -100V, -21A, 117 mOhm, 64.7 nC Qg, TO-247AC
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) | MOSFET P-CH 100V 23A TO-247AC
-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 100V, 0.117ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-23A; Drain Source Voltage Vds:-100V; On Resistance Rds(on):117mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:120W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:-23A; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:120W; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:-100V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Modelos CAD
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)23 A
Current Rating-23 A
Drain to Source Breakdown Voltage-100 V
Drain to Source Resistance117 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-100 V
Dual Supply Voltage-100 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.3 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation120 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs-4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance117 mΩ
Package Quantity400
PackagingBulk
Power Dissipation120 W
Rds On Max117 mΩ
Recovery Time220 ns
Resistance117 mΩ
Rise Time67 ns
Schedule B8541290080
TerminationThrough Hole
Threshold Voltage-4 V
Turn-Off Delay Time51 ns
Turn-On Delay Time15 ns
Voltage Rating (DC)-100 V
Dimensions
Height24.99 mm
Length15.875 mm
Width5.3 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeContains Lead, Lead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento