Infineon IRFP150MPBF

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC Series M package, TO247-3, RoHS
$ 0.971
Obsolete
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DistributorSKUMinPkg
Arrow ElectronicsIRFP150MPBF6111
Rochester Electronics
2
IRFP150MPBF17.015
40m
RS (Formerly Allied Electronics)IRFP150MPBF020Bulk
17h
FarnellIRFP150MPBF3031
1d
Mouser942-IRFP150MPBF1771Tube

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRFP150MPBF.

Newark

Datasheet9 páginasHace 5 años

IHS

iiiC

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Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-03-01
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

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MOSFET, Power; N-Channel; 0.020 Ohms (Max.) @ 10 V, 29 A; 55 V (Min.); 40 degC/
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Power MOSFET, General Purpose, P Channel, 100 V, 21 A, 0.2 ohm, TO-247AC, Through Hole
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VishayIRFP240PBF
Single N-Channel 200 V 0.18 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
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VishayIRFP9240PBF
Single P-Channel 200 V 0.5 Ohms Flange Mount Power Mosfet - TO-247AC
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IRFP150MPBF suministradas por sus distribuidores.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC Series M package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 100 V 36 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247AC
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
Semicontronic
MOSFET, N-CH, 100V, 42A, TO-247AC-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:42A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.036ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:4V;
element14 APAC
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.
Infineon
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 42 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 100 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 36 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 40 / Rise Time ns = 56 / Turn-OFF Delay Time ns = 45 / Turn-ON Delay Time ns = 11 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = TO-247AD / Pins = 3 / Mounting Type = Through Hole / Packaging = Tube / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 160
Distrelec

Imágenes

Infineon
Augswan
Newark
Newark
Farnell
TME
RS
RS (Formerly Allied Electronics)
LZChips
iiiC
Rochester Electronics
International Rectifier
LCSC
Future Electronics

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRFP150M
  • SP001552006