Infineon IRFP3206PBF
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EOL
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-03-03
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2026-05-31
LTD Date2026-11-30
Componentes relacionados
InfineonIRFP7537PBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free TO-247AC package, TO247-3, RoHS
InfineonIRFP2907ZPBF
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 310 W
Descripciones
Descripciones de Infineon IRFP3206PBF suministradas por sus distribuidores.
IRFP3206PBF N-channel MOSFET Transistor, 200 A, 60 V, 3-Pin TO-247AC
Trans MOSFET N-CH Si 60V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube / MOSFET N-CH 60V 120A TO-247AC
Single N-Channel 60 V 3 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247-3AC
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 120 A, 0.0024 ohm, TO-247AC, Through Hole
MOSFET, N, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):2.4mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:20V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:280W; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:200A; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:280W; Pulse Current Idm:840A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time83 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.54 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation280 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance3 mΩ
Package Quantity400
Power Dissipation280 W
Rds On Max3 mΩ
Recovery Time50 ns
Resistance3 MΩ
Rise Time82 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time55 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Dimensions
Height24.99 mm
Length15.87 mm
Width5.3086 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento