Infineon IRFP2907ZPBF
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Stock
153,893
26,814
Authorized Distributors
3
3
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-247-3
TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
75 V
Continuous Drain Current (ID)
90 A
170 A
Threshold Voltage
4 V
2 V
Rds On Max
4.5 mΩ
4.5 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
310 W
310 W
Input Capacitance
7.5 nF
7.5 nF
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-06-17
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-03-31
LTD Date2023-09-30
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Descripciones
Descripciones de Infineon IRFP2907ZPBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-247 Power dissipation: 310 W
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature
Single N-Channel 75 V 4.5 mOhm 180 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-247-3AC
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package, TO247-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 170A I(D), 75V, 0.0045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AC
MOSFET, N, 75V, 170A, TO-247AC; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:170A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):4.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:310W; Transistor Case Style:TO-247AC; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:90A; Device Marking:IRFP2907Z; On State resistance @ Vgs = 10V:4.5ohm; Package / Case:TO-247AC; Power Dissipation Pd:310W; Power Dissipation Pd:310W; Pulse Current Idm:680A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-3
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Current Rating90 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance4.5 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Dual Supply Voltage75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time100 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.5 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation310 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance4.5 mΩ
Package Quantity400
PackagingBulk
Power Dissipation310 W
Rds On Max4.5 mΩ
Recovery Time61 ns
Resistance4.5 Ω
Rise Time140 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time97 ns
Turn-On Delay Time19 ns
Voltage Rating (DC)75 V
Dimensions
Height24.99 mm
Length15.87 mm
Width5.3086 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento