Infineon IRFL4310TRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 100V; Rds(on) 0.2 Ohm; Id 1.6A; SOT-223; Pd 1W; Vgs +/-20V; -55
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Fichas técnicas y documentos

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IHS

Datasheet10 páginasHace 22 años
Datasheet9 páginasHace 22 años

Newark

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

Jameco

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Cadena de suministros

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-04-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Componentes relacionados

InfineonIRFL4310PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.2Ohm;ID 1.6A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-20V;-55
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin SOT-223 T/R
onsemiFQT7N10TF
Power MOSFET, N-Channel, QFET®, 100 V, 1.7 A, 350 mΩ, SOT-223
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.8 A, 230 Milliohms, SOT-223, 4 Pins, Surface Mount
Power MOSFET, N-Channel, Logic Level, QFET®, 100 V, 1.7 A, 350 mΩ, SOT-223
Diodes Inc.ZXMN10A08GTA
N-Channel 100 V 0.25 Ohm Power MOSFET Surface Mount -SOT-223-3

Descripciones

Descripciones de Infineon IRFL4310TRPBF suministradas por sus distribuidores.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.2Ohm;ID 1.6A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-20V;-55
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package, SOT223-4, RoHS
Infineon SCT
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.6 A, 0.2 ohm, SOT-223, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
IRFL4310TRPBF,MOSFET, 100V, 1. 6A, 200 MOHM, 17 NC QG, SOT-2
HEXFET Power MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; Continuous Drain Current Id:1.6A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:1W; No. Of Pins:4Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon IRFL4310TRPBF.
MOSFET, N CH, 100V, 1.6A, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.6A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:1W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (18-Jun-2012)
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design.

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRFL4310TRPBF.
  • SP001564078