Infineon IRFL4310PBF
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRFL4310PBF | 0 | 1920 | Bulk | 15h | |||||||
| Farnell | IRFL4310PBF | 0 | 1 | 23h | ||||||||
| Win Source | WS-462149 | 32.660 | 235 | 1d | ||||||||
| Worldway Electronics | IRFL4310PBF | 3666 | 7 | Tape & Reel | 23h | |||||||
| Esaler Electronic | IRFL4310PBF | 2500 | 7d |
Modelos CAD
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-04-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
Componentes relacionados
InfineonIRFL4310TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.2Ohm;ID 1.6A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-20V;-55
InfineonBSP372NH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 1.8 A, 230 Milliohms, SOT-223, 4 Pins, Surface Mount
Descripciones
Descripciones de Infineon IRFL4310PBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 0.2Ohm;ID 1.6A;SOT-223;PD 1W;VGS +/-20V;-55
Single N-Channel 100 V 0.2 Ohm 17 nC HEXFET® Power Mosfet - SOT-223
100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a SOT-223 package, SOT223-4, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 100V 2.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:100V; Continuous Drain Current, Id:1.6A; On Resistance, Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:SOT-223 ;RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.6 A
Current Rating1.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time20 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance330 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Elements1
On-State Resistance200 mΩ
Package Quantity1760
PackagingBulk
Power Dissipation2.1 W
Rds On Max200 mΩ
Recovery Time110 ns
Resistance200 mΩ
Rise Time18 ns
Threshold Voltage2 V
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time7.8 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height1.4478 mm
Length6.6802 mm
Width3.7 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento