Infineon IRFHM8326TRPBF
$ 0.224
Obsolete
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRFHM8326TRPBF | 1512 | 4h | |||||||||
| Farnell | IRFHM8326TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 4h | |||||||
| Verical | IRFHM8326TRPBF | 1512 | 1340 | |||||||||
| Win Source | WS-IRFHM8326TRPBF | 37.500 | 160 | 5h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRFHM8326TRPBF | 10.755 | 7 | Tape & Reel | 4h |
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2013-03-15
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
InfineonIRFH4234TRPBF
25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package, PG-TDSON-8, RoHS
VishaySIS472DN-T1-GE3
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0089ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Descripciones
Descripciones de Infineon IRFHM8326TRPBF suministradas por sus distribuidores.
30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 3.3mm X 3.3mm PQFN package, PQFN 3.3X3.3 8L, RoHS
Infineon SCT
Single N-Channel 30 V 4.7 mOhm 39 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 3.3 x 3.3 mm
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin PQFN EP T/R
Benefits: RoHS Compliant; Low Thermal Resistance to PCB (less than 3.4C/W); Low Profile (less than 1.05 mm); Industry-Standard Pinout; Compatible with Existing Surface Mount Techniques; Qualified Industrial; Qualified MSL1 | Target Applications: Battery Protection; Isolated Primary Side MOSFETs; Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs; Load Switch High Side; Load Switch Low Side; Point of Load ControlFET
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance6.7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time12 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.496 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation37 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance4.7 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation37 W
Rds On Max4.7 mΩ
Rise Time35 ns
Threshold Voltage1.7 V
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time12 ns
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento