Infineon IRFF420
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Este componente
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$ 17.1
$ 21.34
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Stock
278
20,991
20,991
Authorized Distributors
2
1
1
Mount
Through Hole
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-39
TO-39
TO-39
Drain to Source Voltage (Vds)
500 V
-
-
Continuous Drain Current (ID)
1.5 A
1.5 A
1.5 A
Threshold Voltage
-
-
-
Rds On Max
-
-
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
20 W
20 W
20 W
Input Capacitance
-
-
-
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1990-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)
Componentes relacionados
InfineonJANTX2N6788
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
Descripciones
Descripciones de Infineon IRFF420 suministradas por sus distribuidores.
Benefits: Hermetically packaged power MOSFET; Packaged on a MIL-PRF-19500 manufacturing line
500V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package, TO-205AF-3
Infineon SCT
N-Channel 500 V 1.5 A 3.1 Ohm 20 W Through Hole HEXFET® Transistor - TO-39
Trans MOSFET N-CH 500V 1.5A 3-Pin TO-39
N Channel Mosfet, 500V, 1.5A, To-205Af
HEXFET, Hi-Rel 500V, 1.5A, 3.0 ohm
Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 500V, 3.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-205AF, HERMETIC SEALED, TO-39, 3 PIN
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Body MaterialMetal
Case/PackageTO-39
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance3.1 Ω
Drain to Source Voltage (Vds)500 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation20 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingBulk
Power Dissipation20 W
Turn-Off Delay Time60 ns
Turn-On Delay Time40 ns
Dimensions
Height4.57 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
Radiation HardeningNo
REACH SVHCUnaffected
RoHSNon-Compliant
Declaraciones de cumplimiento