Infineon IRFB3004PBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-02-26
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
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Trans MOSFET N-CH 40V 198A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
Descripciones
Descripciones de Infineon IRFB3004PBF suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 40 V 1.75 mOhm 160 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB N-Channel 40 V 195A (Tc) 380W (Tc) Through Hole TO-220AB
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Trans MOSFET N-CH 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Tube
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The IR MOSFET™ family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications. The devices are available in a variety of surface mount and through-hole packages with industry standard footprints for ease of design. The optimized gate drive options enables designers the flexibility of selecting super, logic or normal level drives.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-220AB
Contact PlatingTin
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)195 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1.75 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)40 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time130 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance9.2 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation380 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1.75 mΩ
Package Quantity1000
Power Dissipation380 W
Rds On Max1.75 mΩ
Resistance1.75 MΩ
Rise Time220 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time90 ns
Turn-On Delay Time23 ns
Dimensions
Height20.56 mm
Length10.668 mm
Width4.826 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento