Infineon IRF8910TRPBF
Obsolete
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF8910TRPBF | 0 | 4K | Bulk | 17h | |||||||
| Farnell | IRF8910TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 11h | |||||||
| Microchip USA | IRF8910TRPBF | 499 | 300 | 4d | ||||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | IRF8910TRPBF | 8000 | 1 | Tape & Reel | 1h | |||||||
| Win Source | WS-IRF8910TRPBF | 5000 | 45 | 1h |
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -100%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRF8910TRPBF.
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Cadena de suministros
Country of OriginIsrael, Mainland China, Philippines, Thailand
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2008-07-09
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Descripciones
Descripciones de Infineon IRF8910TRPBF suministradas por sus distribuidores.
Dual N-Channel 20 V 13.4 mOhm 7.4 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 10A 8-Pin SOIC T/R
DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, 10A; Transis; DUAL N CHANNEL MOSFET, 20V, 10A; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):10.7mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:2.55V
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Current Rating10 A
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance13.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Fall Time4.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance960 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs2.55 V
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance13.4 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max13.4 mΩ
Resistance13.4 MΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage2.55 V
Turn-Off Delay Time9.7 ns
Turn-On Delay Time6.2 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento