Infineon IRF7493TRPBF

Mosfet, Power; N-ch; Vdss 80V; Rds(on) 11.5 Milliohms; Id 9.3A; SO-8; Pd 2.5W; Vgs +/-2
$ 0.637
Production
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

Ver todas las estructuras de precios
DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IRF7493TRPBF20635Cut Tape
Arrow ElectronicsIRF7493TRPBF39331
Future Electronics
2
IRF7493TRPBF140.0004KTape & Reel
RutronikTMOSP1196116.0004K
3h
Rochester ElectronicsIRF7493TRPBF376.000
20h

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRF7493TRPBF.

TME

Datasheet9 páginasHace 21 años

IHS

Components Direct

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-16.07%
Powered bySpectra logo

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IRF7493TRPBF desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
EE Concierge
SímboloFootprint
SnapEDA
Footprint
Descargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-09-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Componentes relacionados

InfineonIRF7854TRPBF
Single N-Channel 80 V 13.4 mOhm 27 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Detalles
InfineonIRF7855TRPBF
Single N-Channel 60V 9.4 mOhm 26 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Detalles
InfineonIRF7488TRPBF
Single N-Channel 80 V 29 mOhm 38 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Detalles
VishaySI4056DY-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 11.1A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Dra
Detalles
InfineonIRF7478QPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 60V;RDS(ON) 26 Milliohms;ID 4.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20V
Detalles
VishaySI4100DY-T1-E3
Trans MOSFET N-CH 100V 4.4A 8-Pin SOIC N T/R
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IRF7493TRPBF suministradas por sus distribuidores.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 80V;RDS(ON) 11.5 Milliohms;ID 9.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 80 V 15 mOhm 53 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 9.3A I(D), 80V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Semicontronic
MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-SOIC / Trans MOSFET N-CH 80V 9.3A 8-Pin SOIC T/R
Win Source
Benefits: RoHS Compliant; Industry-leading quality; Fast Switching; 175C Operating Temperature | Target Applications: Load Switch High Side
Infineon
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:80V; Continuous Drain Current, Id:9.2A; On Resistance, Rds(on):15mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:8-SO ;RoHS Compliant: Yes
Newark

Imágenes

Infineon
RS APAC
Augswan
TME
element14 APAC
RS (Formerly Allied Electronics)
International Rectifier
LCSC
iiiC

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • SP001575326