Infineon IRF7473TRPBF
$ 0.657
Obsolete
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | IRF7473TRPBF | 74.878 | 1d | |||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF7473TRPBF | 0 | 4K | Bulk | 13h | |||||||
| Farnell | IRF7473TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 11h | |||||||
| Weyland Electronics Group Pte. Ltd. | IRF7473TRPBF | 3460 | 1 | Tape & Reel | 5h | |||||||
| Win Source | WS-IRF7473TRPBF | 3130 | 15 | 25m |
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2000-11-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
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VISHAY SI7456DDP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 27.8 A, 100 V, 0.017 ohm, 10 V, 1.5 V
Descripciones
Descripciones de Infineon IRF7473TRPBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 100V;RDS(ON) 22Milliohms;ID 6.9A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-20
Single N-Channel 100 V 26 mOhm 61 nC HEXFET® Power Mosfet - SOIC-8
Trans MOSFET N-CH 100V 6.9A 8-Pin SOIC T/R
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Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 6.9A I(D), 100V, 0.026ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
MOSFET, N-CH, 100V, 6.9A, SOIC-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 6.9A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.022ohm; Available until stocks are exhausted Alternative available
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:6.9A; On Resistance, Rds(on):26mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:8-SO; Power Dissipation, Pd:2.5W ;RoHS Compliant: Yes
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.9 A
Current Rating6.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage100 V
Drain to Source Resistance26 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.18 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.5 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance26 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2.5 W
Rds On Max26 mΩ
Rise Time20 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time29 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height1.75 mm
Length4.9784 mm
Width3.9878 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento