Infineon IRF6718L2TRPBF
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | IRF6718L2TRPBF | 0 | 4K | Bulk | 13h | |||||||
| Farnell | IRF6718L2TRPBF | 0 | 1 | Cut Tape | 20h | |||||||
| Component Stockers USA | IRF6718L2TRPBF | 10.323 | 2d | |||||||||
| Win Source | WS-IRF6718L2TRPBF | 3287 | 1 | 21h | ||||||||
| Worldway Electronics | IRF6718L2TRPBF | 13.970 | 7 | Tape & Reel | 20h |
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-06-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2019-10-31
LTD Date2020-04-30
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HEXFET Power MOSFET plus Schottky Diode | MOSFET N-CH 25V 35A DIRECTFET
Descripciones
Descripciones de Infineon IRF6718L2TRPBF suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 25 V 0.7 Ohm 64 nC HEXFET® Power Mosfet - DirectFET®
Trans MOSFET N-CH 25V 61A 13-Pin Direct-FET L6 T/R
DirectFETPower MOSFET | MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
A 25V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET L6 package rated at 61 amperes optimized with low on resistance. Shipped in Tape and Reel only. Part is not available in bulk, TR is implied in part number.
Target Applications: eFuse; HotSwap; ORing
N-CH 25V 61A 0,5mOhm DirectFET RoHSconf
N Channel, MOSFET, 25V, 61A, DirectFET L6; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:61A; Drain Source Voltage Vds:25V; On Resistance Rds(on):0.0005ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.9V ;RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins13
Number of Terminals7
Technical
Continuous Drain Current (ID)61 A
Drain to Source Breakdown Voltage25 V
Drain to Source Resistance700 µΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)25 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time53 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance6.5 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage25 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance700 µΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation4.3 W
Rds On Max700 µΩ
Rise Time140 ns
Turn-Off Delay Time47 ns
Turn-On Delay Time67 ns
Dimensions
Height756 µm
Length9.144 mm
Width7.1 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento