Infineon IRF6619TR1

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
$ 1.525
Obsolete
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

Ver todas las estructuras de precios
DistributorSKUMinPkg
DigiKey
2
IRF6619TR1CT-ND71581Cut Tape
FarnellIRF6619TR101
19h
Component Stockers USAIRF6619TR16302
>1wk
Win SourceWS-IRF6619TR1600023
20h
Worldway ElectronicsIRF6619TR119.2177Tape & Reel
18h

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRF6619TR1.

IHS

Datasheet10 páginasHace 20 años

DigiKey

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-14.29%
Powered bySpectra logo

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IRF6619TR1 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
EE Concierge
SímboloFootprint
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-02-10
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2012-08-25
LTD Date2013-02-25

Componentes relacionados

InfineonIRF6619
Trans MOSFET N-CH 20V 30A 7-Pin Direct-FET MX
Detalles
InfineonIRF6716MTRPBF
MOSFET N-CH 25V 39A DIRECTFET / Trans MOSFET N-CH Si 25V 39A 7-Pin Direct-FET MX T/R
Detalles
InfineonIRF6715MTR1PBF
MOSFET, N-Ch, VDSS 25V, RDS(ON) 1.3 mOhm, ID 24A, DirectFET
Detalles
STMicroelectronicsSTB300NH02L
N-channel 24 V, 1.8 mOhm, 120 A, D2PAK STripFET(TM) Power MOSFET
Detalles
onsemiNTD4854NT4G
Power MOSFET 25 V, 124 A, Single N-Channel
Detalles
InfineonIRF3711STRLPBF
Single N-Channel 20 V 6 mOhm 44 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IRF6619TR1 suministradas por sus distribuidores.

Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 20V, 0.0022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET
DigiKey
MOSFET, N, DIRECTFET, MX; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:24A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.65mohm; Threshold Voltage Vgs Typ:2.45V; Power Dissipation Pd:2.8W; Transistor Case Style:MX; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Capacitance Ciss Typ:5040pF; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-40°C; Package / Case:MX; Power Dissipation Pd:2.8W; Power Dissipation Pd:2.8W; Pulse Current Idm:240A; Reverse Recovery Time trr Typ:29ns; SMD Marking:6619; Termination Type:SMD; Voltage Vds:20V; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
element14 APAC

Imágenes

Newark
element14 APAC
LZChips
International Rectifier

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA