Infineon IRF6215PBF

Single P-Channel 150 V 0.29 Ohm 66 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
$ 1.27
Obsolete

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Datasheet9 páginasHace 22 años

Newark

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 1.27
$ 5.78
Stock
209,092
144,720
Authorized Distributors
2
2
Mount
Through Hole
Through Hole
Case/Package
TO-220AB
TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss)
-150 V
-150 V
Continuous Drain Current (ID)
11 A
13 A
Threshold Voltage
-4 V
-2 V
Rds On Max
290 mΩ
290 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
83 W
110 W
Input Capacitance
860 pF
860 pF

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date1996-08-05
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-10-31
LTD Date2021-04-30

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MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 150V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID 43A;TO-220AB;PD 200W;VGS +/-20V
43 A 150 V 0.042 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET TO-220AB

Descripciones

Descripciones de Infineon IRF6215PBF suministradas por sus distribuidores.

Single P-Channel 150 V 0.29 Ohm 66 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-220-3
-150 Volt -13 Amp Single P-Channel A224 HEXFET Power MOSFET TO-220AB
MOSFET, Power; P-Channel; 0.29 Ohms @ -10 V, -6.6 A; 20 V (Max.); 62 degC/W
-150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package, TO220-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET P-CH 150V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
MOSFET Operating temperature: -55...175 °C Housing type: TO-220AB Polarity: P Power dissipation: 110 W
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 150V, 0.29ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature; P-Channel MOSFET
MOSFET, P, TO-220; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:13A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):290mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs Typ:-4V; Power Dissipation Pd:110W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Avalanche Single Pulse Energy Eas:310mJ; Current Id Max:-13A; Current Temperature:25°C; Full Power Rating Temperature:25°C; Lead Spacing:2.54mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:110W; Power Dissipation Pd:110W; Power Dissipation Ptot Max:110W; Pulse Current Idm:44A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds:150V; Voltage Vds Typ:-150V; Voltage Vgs Max:-4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:-10V

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRF6215
  • IRF6215PBF.
  • SP001559672