onsemi FDB390N15A
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-02-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Componentes relacionados
InfineonIRFS4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK N-Channel 150 V 33A (Tc) 144W (Tc) Surface Mount D2PAK
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Descripciones
Descripciones de onsemi FDB390N15A suministradas por sus distribuidores.
N-Channel PowerTrench® MOSFET 150V, 27A, 39mΩ
Power Field-Effect Transistor, 27A I(D), 150V, 0.039ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
75W(Tc) 20V 4V@ 250µA 18.6nC@ 10 V 1individualNChannel 150V 39mΩ@ 27A,10V 27A 1.285nF@75V TO-263 SMD mount 10.67mm*9.65mm*4.83mm
This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advance PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON Semiconductor / Fairchild
- ON SEMICOND
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- onsemi / Fairchild
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight1.31247 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)27 A
Drain to Source Breakdown Voltage150 V
Drain to Source Resistance39 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)150 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.285 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation75 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation75 W
Rds On Max39 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time14 ns
Dimensions
Height5.08 mm
Length10.67 mm
Width9.65 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento