Infineon IRF3205STRLPBF

MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 55V; RDS(ON) 8 Milliohms; ID 110A; D2Pak; PD 200W; VGS +/-20V
$ 0.76
Production
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

Ver todas las estructuras de precios
DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IRF3205STRLPBF15671Cut Tape
Arrow ElectronicsIRF3205STRLPBF28851
Future Electronics
2
IRF3205STRLPBF48.000800Tape & Reel
Rochester ElectronicsIRF3205STRLPBF370
22h
DigiKey
2
IRF3205STRLPBFCT-ND7351Cut Tape

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IRF3205STRLPBF.

Newark

Datasheet11 páginasHace 22 años
Datasheet11 páginasHace 23 años
Datasheet10 páginasHace 23 años

IHS

Burklin Elektronik

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-6.79%
Powered bySpectra logo

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IRF3205STRLPBF desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
Component Search Engine
SímboloFootprint
3DDescargar
SnapEDA
Footprint
Descargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-03-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

Componentes relacionados

InfineonIRF3205SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 110A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
Detalles
InfineonIRF1010NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 85A;D2Pak;PD 180W;VGS +/-20V
Detalles
InfineonIRF1404ZSPBF
Single N-Channel 40 V 3.7 mOhm 150 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Detalles
STMicroelectronicsSTB200NF04T4
STB200NF04T4 N-channel MOSFET Transistor, 120 A, 40 V, 3-Pin D2PAK
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IRF3205STRLPBF suministradas por sus distribuidores.

MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 8 Milliohms;ID 110A;D2Pak;PD 200W;VGS +/-20V
RS (Formerly Allied Electronics)
Single N-Channel 55V 8 mOhm 146 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Future Electronics
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.008ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
ComSIT Distribution GmbH
The IR MOSFET family of power MOSFETs utilizes proven silicon processes offering designers a wide portfolio of devices to support various applications such as DC motors, inverters, SMPS, lighting, load switches as well as battery powered applications.
Infineon
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:55V; Continuous Drain Current Id:110A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:200W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon IRF3205STRLPBF.
Newark

Imágenes

Infineon
element14
Farnell
element14
TME
RS (Formerly Allied Electronics)
RS APAC
Micros
Conrad
Future Electronics
LCSC
Rochester Electronics
LZChips

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRF3205STRLPBF.
  • SP001576758