Infineon IRF1010NSPBF
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-08-25
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2018-12-15
LTD Date2019-06-15
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60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
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N-channel 55 V, 6.5 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) III Power MOSFET in D2PAK package
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N-Channel 60V - 0.014Ohm - 60A - D2APK StripFET(TM) II POWER MOSFET
Descripciones
Descripciones de Infineon IRF1010NSPBF suministradas por sus distribuidores.
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 85A;D2Pak;PD 180W;VGS +/-20V
In a Tube of 50, IRF1010NSPBF N-Channel MOSFET, 85 A, 55 V HEXFET, 3-Pin D2PAK Infineon
Single N-Channel 55 V 11 mOhm 120 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 55V 85A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 55V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating85 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Dual Supply Voltage55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.21 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation170 W
Min Breakdown Voltage55 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs4 V
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance11 mΩ
Package Quantity1000
PackagingBulk
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max11 mΩ
Recovery Time100 ns
Rise Time76 ns
TerminationSMD/SMT
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time39 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)55 V
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento