Infineon IRF2807STRLPBF
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1997-08-27
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31
Componentes relacionados
InfineonIRF2807SPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 75V;RDS(ON) 13 Milliohms;ID 82A;D2Pak;PD 230W;VGS +/-20V
InfineonIRF1010NSPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 11 Milliohms;ID 85A;D2Pak;PD 180W;VGS +/-20V
InfineonIRF1407STRLPBF
Power MOSFET(Vdss = 75V, Rds(on) = 0.0078Ω, Id = 100A⑥) | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK
STMicroelectronicsSTB60NF06T4
N-Channel 60V - 0.014Ohm - 60A - D2APK StripFET(TM) II POWER MOSFET
STMicroelectronicsSTB60N55F3
N-channel 55 V, 6.5 mOhm typ., 80 A STripFET(TM) III Power MOSFET in D2PAK package
Descripciones
Descripciones de Infineon IRF2807STRLPBF suministradas por sus distribuidores.
Single N-Channel 75V 13 mOhm 160 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK
Power MOSFET, N Channel, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
IRF2807STRLPBF,MOSFET, 75V, 82 A, 13 MOHM, 106.7 NC QG, D2-P
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 75V, 0.013ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Benefits: RoHS Compliant; Low RDS(on); Industry-leading quality; Dynamic dv/dt Rating; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; 175C Operating Temperature
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:75V; Continuous Drain Current Id:82A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V; Power Dissipation:200W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IRF2807STRLPBF.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 82 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 75 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 13 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 48 / Rise Time ns = 64 / Turn-OFF Delay Time ns = 49 / Turn-ON Delay Time ns = 13 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 175 / Package Type = D2PAK / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 300 / Power Dissipation (Pd) W = 230
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageD2PAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)75 A
Current Rating82 A
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance13 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)75 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time48 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance3.82 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation230 W
Min Breakdown Voltage75 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance13 mΩ
Package Quantity800
Power Dissipation150 W
Rds On Max13 mΩ
Rise Time64 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage4 V
Turn-Off Delay Time49 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Voltage Rating (DC)75 V
Dimensions
Height5.084 mm
Length10.668 mm
Width9.65 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento