Infineon IR2011SPBF
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Componentes alternativos
Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.912
$ 0.963
Stock
445,399
788,836
Authorized Distributors
6
6
Case/Package
SOP
SOP
Number of Pins
8
8
Channel Type
Independent
Independent
Number of Drivers
2
2
Max Output Current
1 A
1 A
Rise Time
35 ns
50 ns
Fall Time
20 ns
35 ns
Min Supply Voltage
10 V
10 V
Max Supply Voltage
20 V
20 V
Max Power Dissipation
625 mW
625 mW
Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2004-06-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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InfineonIRS2607DSTRPBF
High Voltage, High Speed Power Mosfet And Igbt Driver With Independent High Side, SOIC 8N, RoHS
MicrochipMIC4123YME
DRIVER, MOSFET, DUAL, 3A, 8SOIC; Device Type:Low Side; Module Configuration:Inve
Descripciones
Descripciones de Infineon IR2011SPBF suministradas por sus distribuidores.
Tube IR2011SPBF High-Side or Low-Side 1996 gate driver 50ns -40C~150C TJ 1A 1A 625mW
High and Low Side Driver; Low Dropout; 8-Lead SOIC; 0.625 W (Package)
IR2011 Series 200 V 1 A 20 V Supply Dual High And Low Side Driver - SOIC-8N
MOSFET and Power Driver 1A 2-OUT Hi/Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC N Tube
Avnet Japan
200 V High and Low Side Driver IC with typical 1 A source and 1 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP.
DRIVER, MOSFET HIGH/LOW, 2011, SOIC8; Driver Configuration: High Side and Low Side; Peak Output Current: 1A; Supply Voltage Min: 10V; Supply Voltage Max: 20V; Driver Case Style: SOIC; No. of Pins: 8Pins; Input Delay: 80ns; Outp
MOSFET Driver IC; Device Type:MOSFET; Output Voltage:200V; Supply Voltage Max:20V; Termination Type:SMD; Package/Case:8-SOIC; No. of Pins:8; Operating Temperature Range:-40°C to +125°C; Delay Matching:20ns; Fall Time, tf:20ns ;RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Ambient Temperature Range High125 °C
Channel TypeIndependent
Fall Time20 ns
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature125 °C
Max Output Current1 A
Max Power Dissipation625 mW
Max Supply Current230 µA
Max Supply Voltage20 V
Min Operating Temperature-40 °C
Min Supply Voltage10 V
Nominal Supply Current230 µA
Number of Channels2
Number of Circuits1
Number of Drivers2
Number of Outputs2
Operating Supply Voltage15 V
Output Current1 A
Output Voltage20 V
Package Quantity3800
PackagingBulk
Power Dissipation625 mW
Propagation Delay80 ns
Release Time60 ns
Rise Time35 ns
Schedule B8542310000
Temperature GradeAutomotive
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Dimensions
Height1.72 mm
Height - Seated (Max)1.75 mm
Length4.9 mm
Terminal Pitch1.27 mm
Width3.9 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento