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Infineon IPW65R190CFDFKSA1

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
$ 1.2
Obsolete
Ficha técnica
Página del fabricante

Precio y existencias

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Distribuidor
SKU
Mín.
Pkg
Precios por volumen
Rochester Electronics
IPW65R190CFDFKSA1
240
USD
2,000
1,790
1,690
20h
Arrow Electronics
IPW65R190CFDFKSA1
148
1
USD
0,611
0,611
0,611
0,611
0,611
Avnet
IPW65R190CFDFKSA1
0
240
22h
Worldway Electronics
IPW65R190CFDFKSA1
5748
7
Tube
USD
1,800
1,766
1,698
1,664
20h
Aztech
IPW65R190CFDFKSA1
5915
USD
0,950
0,950
0,950
0,950
0,950
17h

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IPW65R190CFDFKSA1.

IHS

Datasheet20 páginasHace 14 años

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
InfineonIPW65R190CFDFKSA1
InfineonIPW65R190CFDAFKSA1
Price @ 1000
$ 1.2
$ 1.94
Stock
25,753
35,356
Authorized Distributors
3
1
Mount
-
Through Hole
Case/Package
TO-247
TO-247
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
650 V
Continuous Drain Current (ID)
17.5 A
17.5 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
-
190 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
-
30 V
Power Dissipation
151 W
151 W
Input Capacitance
-
1.85 nF

Cadena de suministros

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2011-05-11
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 months ago)
LTB Date2023-02-17
LTD Date2023-02-17

Descripciones

Descripciones de Infineon IPW65R190CFDFKSA1 suministradas por sus distribuidores.

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3 N-Channel 650 V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-1
Eurochip Technologies LTD
Power Field-Effect Transistor, 17.5A I(D), 650V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET, TO-247
IHS
Infineon NChannel EnhancedMOSTube CoolMOS CFDseries, Vds=650 V, 17.5 A, TO-247encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
UnikeyIC
MOSFET, N CH, 700V, 17.5A, TO-247-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 17.5A; Drain Source Voltage Vds: 700V; On Resistance Rds(on): 0.445ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V
Farnell
Replacement for 650V CoolMOS™ CFD2 is 600V CoolMOS™ CFD7650V CoolMOS™ CFD2 is Infineon's second generation of market leading high voltage CoolMOS™ MOSFETs with integrated fast body diode. The CFD2 devices are the successor of 600V CFD with improved energy efficiency. The softer commutation behavior and therefore better EMI behavior gives this product a clear advantage in comparison with competitor parts.
Infineon

Imágenes

element14 APAC
Farnell
TME
RS
Rochester Electronics

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • SP000905376