Infineon IPN50R800CEATMA1
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-06-13
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)
LTB Date2024-04-15
LTD Date2024-10-15
Componentes relacionados
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INFINEON IPN50R2K0CEATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 3.6 A, 500 V, 1.8 ohm, 13 V, 3 VNew
Descripciones
Descripciones de Infineon IPN50R800CEATMA1 suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin SOT-223 T/R
Cost-effective drop-in replacement for DPAK, PG-SOT223-4-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 7.6A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Superjunction Mosfet FET
IPN50R800 - 500V COOLMOS N-CHANN
Mosfet, N-Ch, 500V, 7.6A, Sot-223-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:7.6A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(On):0.72Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:13V; Threshold Voltage Vgs:3V; Power Rohs Compliant: Yes |Infineon IPN50R800CEATMA1
Infineon is growing the portfolio of CoolMOS™ CE with the SOT-223 package as a cost effective alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. The package can be placed on a typical DPAK footprint and comes with only a small compromise in thermal behavior. The SOT-223 from Infineon targets LED lighting and mobile charger applications.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage500 V
Drain to Source Resistance800 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation5 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance800 mΩ
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation5 W
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3 V
Turn-Off Delay Time26 ns
Turn-On Delay Time6.2 ns
Dimensions
Height1.8 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento