STMicroelectronics STN3N45K3
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2010-03-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.ZVP0545GTA
Trans MOSFET P-CH 450V 0.075A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / MOSFET P-CH 450V 0.075A SOT223
InfineonBSP298H6327XUSA1
MOSFET N-CH 400V 500MA SOT223-4 N-Channel 400 V 500mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STN3N45K3 suministradas por sus distribuidores.
STMicroelectronics N-Channel MOSFET MDmesh K3, SuperMESH3, Vds=450V 600mA SOT-223 SMD 3-Pin
STN3N45K3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 0.6 A, 450 V, 3 + TAB-PIN SOT-223
N-channel 450 V, 3.2 Ohm, 1.8 A, SOT-223 SuperMESH3(TM) Power MOSFET
MOSFET, N CH, 450V, 0.6A, SOT 223; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 600mA; Drain Source Voltage Vds: 450V; On Resistance Rds(on): 3.2ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.75V;
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +249%
Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)600 mA
Drain to Source Breakdown Voltage450 V
Drain to Source Resistance3.8 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)450 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)30 V
Input Capacitance150 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage450 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Power Dissipation3 W
Rds On Max3.8 Ω
Resistance3.8 Ω
Schedule B8541290080
Threshold Voltage3.75 V
Turn-Off Delay Time17 ns
Turn-On Delay Time6.5 ns
Dimensions
Height1.9 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant