Infineon IPI90R1K2C3XKSA2

Transistor Power MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin PG-TO262
$ 0.855
Obsolete
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

Ver todas las estructuras de precios
DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsIPI90R1K2C3XKSA212.038
1d
Farnell
2
IPI90R1K2C3XKSA101
23h
Microchip USAIPI90R1K2C3XKSA22923600Tube
18h
Verical
3
IPI90R1K2C3XKSA24000292
Component Stockers USAIPI90R1K2C3XKSA21653
3d

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IPI90R1K2C3XKSA2.

IHS

Datasheet10 páginasHace 17 años

Farnell

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
+0.00%
Powered bySpectra logo

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IPI90R1K2C3XKSA2 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
EE Concierge
SímboloFootprint
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-02-21
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-04-15
LTD Date2024-10-15

Componentes relacionados

STMicroelectronicsSTFI7N80K5
N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in I2PAKFP package
Detalles
STMicroelectronicsSTFI7LN80K5
N-channel 800 V, 0.29 Ohm typ., 14 A MDmesh K5 Power MOSFET in a I2PAKFP package
Detalles
VishayIRFBE30LPBF
Single N-Channel 800 V 3 Ohms Surface Mount Power Mosfet - TO-262
Detalles
onsemiFQI7N80TU
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 800 V, 6.6 A, 1.5 Ω, I2PAK
Detalles
onsemiFQI4N80TU
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 800 V, 3.9 A, 3.6 Ω, I2PAK
Detalles
onsemiFQI4N90TU
N-Channel Power MOSFET, QFET®, 900 V, 4.2 A, 3.3 Ω, I2PAK
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IPI90R1K2C3XKSA2 suministradas por sus distribuidores.

Transistor Power MOSFET N-CH 900V 5.1A 3-Pin PG-TO262
Avnet
Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 900V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
IHS
MOSFET, N-CH, 900V, 5.1A, 150DEG C, 83W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.1A; Drain Source Voltage Vds:900V; On Resistance Rds(on):0.94ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:
element14 APAC
MOSFET, N, TO-262; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vds Typ:900V; Current, Id Cont:5.1A; On State Resistance:1.2ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:TO-262;;RoHS Compliant: Yes
Newark
900V CoolMOS C3 is Infineon's third series of CoolMOS with market entry in 2001. C3 is the "working horse" of the portfolio. | Summary of Features: Low specific on-state resistance (R on*A); Very low energy storage in output capacitance (E oss) @400V; Low gate charge (Q g); Fieldproven CoolMOS quality; CoolMOS technology has been manufactured by Infineon since 1998 | Benefits: High efficiency and power density; Outstanding cost/performance; High reliability; Ease-of-use | Target Applications: Consumer; PC power; Adapter; Lighting
Infineon

Imágenes

Farnell
TME
Rochester Electronics

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IPI90R1K2C3
  • IPI90R1K2C3XKSA1
  • SP002548888