Infineon IPD60R380C6ATMA1
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Cadena de suministros
Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-08-31
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2015-09-15
LTD Date2015-12-15
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Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / CoolMOS Power Transistor
STMicroelectronicsSTD15N60M2-EP
N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package
STMicroelectronicsSTD16N50M2
N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package
STMicroelectronicsSTD16N65M2
N-channel 650 V, 0.32 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in DPAK package
Descripciones
Descripciones de Infineon IPD60R380C6ATMA1 suministradas por sus distribuidores.
83W 20V 3.5V 32nC@ 10V 1N 600V 380m¦¸@ 10V 10.6A 700pF@ 100V TO-252 , 6.5mm*6.22mm*2.3mm
Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 600V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
CoolMOS™ C6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
MOSFET,N CH,600V,10.6A,TO252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:10.6A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):0.34ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:10.6A; Power Dissipation Pd:83W; Voltage Vgs Max:30V
CoolMOS™ C6 combines Infineon's experience as the leading superjunction MOSFET supplier with best-in-class innovation. The C6 devices provide all benefits of a fast switching superjunction MOSFET while not sacrificing ease of use. Extremely low switching and conduction losses make switching applications even more efficient, compact, lighter and cooler.600V CoolMOS™ C6 is replacement for 600V CoolMOS™ C3650V CoolMOS™ C6 is replacement for 650V CoolMOS™ C3
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)10.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance380 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance700 pF
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation83 W
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance380 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation83 W
Rds On Max380 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time110 ns
Turn-On Delay Time15 ns
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento