STMicroelectronics STD16N50M2
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | STD16N50M2 | 99 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | STD16N50M2 | 396 | 10 | |||||||||
| DigiKey | 497-15111-1-ND | 599 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | STD16N50M2 | 0 | 2500 | 18h | ||||||||
| Avnet | STD16N50M2 | 0 | 2500 | 8h |
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Descripciones
Descripciones de STMicroelectronics STD16N50M2 suministradas por sus distribuidores.
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场效应管, MOSFET, N沟道, 500V, 13A, 150度 C, 110W;
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 500V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Alias de fabricantes
STMicroelectronics tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. STMicroelectronics también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ST MICRO
- STM
- SGS
- SGS THOMSON
- INMOS
- STMICROE
- STMICROEL
- STMICR
- ST MIC
- ST MICROELECTRONIC
- SGS THOMPSON
- SESCOSEM
- STMICROELECT
- ST8
- STMICROELECTRON
- WAFERSCALE
- SGS-ATES
- ST MICROELECTRONICS SEMI
- ST/SGS
- ST MICROELECTRO
- SGST
- THOMS
- STMICROELE
- WAFERSCALE INTEGRATION INC
- SGS-Thomson Microelectronics
- ST Microeletronics
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Continuous Drain Current (ID)13 A
Drain to Source Breakdown Voltage550 V
Drain to Source Resistance280 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)500 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time10 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance710 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Breakdown Voltage500 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max280 mΩ
Rise Time7.6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time32 ns
Turn-On Delay Time9.6 ns
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant