Infineon IPD25N06S240ATMA2

Mosfet Transistor, N Channel, 29 A, 55 V, 0.0286 Ohm, 10 V, 3 V
$ 0.43
Production

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IPD25N06S240ATMA2.

IHS

Datasheet8 páginasHace 19 años

iiiC

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-0.00%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IPD25N06S240ATMA2 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
EE Concierge
SímboloFootprint
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-07-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Componentes relacionados

N-Channel 55 V 35 mOhm OptiMOS® Power-Transistor - PG-TO252-3-11
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 28A;D-Pak (TO-252AA);PD 68W;-55de
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 28A;D-Pak (TO-252AA);PD 68W;-55de
Diodes Inc.DMN4030LK3-13
DMN4030 Series 40 V 9.4 A N-Channel Enhancement Mode Mosfet - TO-252-3
N-Channel UltraFET Power MOSFET 55V, 20A, 36mΩ
N-Channel UltraFET® Power MOSFET 55V, 20A, 36mΩ
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.045Ohm;ID 27A;D-Pak (TO-252AA);PD 68W
Diodes Inc.DMN4015LK3-13
Trans MOSFET N-CH 40V 20.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Diodes Inc.DMPH6050SK3Q-13
P-Channel 60 V 50 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - TO-252
Diodes Inc.DMPH6050SK3-13
Mosfet, P-Ch, 60V, 23.6A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMPH6050SK3-13

Descripciones

Descripciones de Infineon IPD25N06S240ATMA2 suministradas por sus distribuidores.

Mosfet Transistor, N Channel, 29 A, 55 V, 0.0286 Ohm, 10 V, 3 V
55V, N-Ch, 40 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 29A I(D), 55V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, N-CH, 55V, 29A, TO-252-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 29A; Drain Source Voltage Vds: 55V; On Resistance Rds(on): 0.0286ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V; Pow
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; Automotive AEC Q101 qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green package (lead free); Ultra low Rds(on); 100% Avalanche tested | Benefits: world's lowest RDS at 55V (on) in planar technology; highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IPD25N06S2-40
  • IPD25N06S2-40ATMA1
  • IPD25N06S240ATMA1
  • SP001063628