Infineon IPD200N15N3GATMA1
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Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-05-09
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Componentes relacionados
InfineonIRFR4615TRLPBF
N CH POWER MOSFET, HEXFET, 150V, 33A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Conti
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Automotive Q101 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package, DPAK-3, RoHS
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Benefits: RoHS Compliant | Target Applications: Battery Operated Drive; Lighting LED
Descripciones
Descripciones de Infineon IPD200N15N3GATMA1 suministradas por sus distribuidores.
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 50 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 150V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 150V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
The 150 V OptiMOS™ achieves a reduction in RDS(on) of 40% and of 45% in figure of merit (FOM) compared to the next best competitor.This drastic improvement opens new possibilities like moving from leaded packages to SMD packages or effectively replacing two old parts with one OptiMOS™ part.
MOSFET, N CH, 50A, 150V, PG-TO252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:150V; On Resistance Rds(on):16mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:150W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:50A; Power Dissipation Pd:150W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -13.37%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)50 A
Drain to Source Resistance20 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)150 V
Fall Time6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.82 nF
Max Dual Supply Voltage150 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation150 W
Min Breakdown Voltage150 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance20 mΩ
Package Quantity2500
PackagingTape & Reel
Power Dissipation150 W
Rds On Max20 mΩ
Rise Time11 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time23 ns
Turn-On Delay Time14 ns
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento