Infineon IPD068N10N3GATMA1

150W 20V 2.7V 51NC N Mosfet 100V 6.8M¦¸@ 10V 90£¨TC=25¡ÃC£©, 72£¨TC=100¡ÃC£© 3.69NF@ 50V TO-252
$ 0.962
Production
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

Ver todas las estructuras de precios
DistributorSKUMinPkg
Newark
2
IPD068N10N3GATMA11865Cut Tape
Arrow Electronics
2
IPD068N10N3GATMA197401
Future Electronics
2
IPD068N10N3GATMA125002500Tape & Reel
RutronikTMOS119325002500
13h
Rochester ElectronicsIPD068N10N3GATMA113.251
6h

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IPD068N10N3GATMA1.

IHS

Datasheet9 páginasHace 11 años

_legacy Avnet

iiiC

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-18.77%
Powered bySpectra logo

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IPD068N10N3GATMA1 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
Component Search Engine
SímboloFootprint
3DDescargar
EE Concierge
SímboloFootprint
SnapEDA
Footprint
3DDescargar
Ultra Librarian
SímboloFootprint
Descargar
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Country of OriginMalaysia, South Korea
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2016-04-30
LTD Date2016-10-31

Componentes relacionados

InfineonIPD90N10S4L06ATMA1
Mosfet, N-Ch, 100V, 90A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N10S4L06ATMA1
Detalles
InfineonIPD082N10N3GATMA1
Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
Detalles
STMicroelectronicsSTD105N10F7AG
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Detalles
InfineonIPD053N08N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Detalles
STMicroelectronicsSTD110N8F6
N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
Detalles
onsemiFDD86367-F085
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK / N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252AA
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IPD068N10N3GATMA1 suministradas por sus distribuidores.

150W 20V 2.7V 51nC N MOSFET 100V 6.8m¦¸@ 10V 90£¨Tc=25¡ãC£©,72£¨Tc=100¡ãC£© 3.69nF@ 50V TO-252
Unikeyic (ICkey)
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 90 A, 0.0057 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
EBV Elektronik
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 100V, 0.0068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
Semicontronic
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
Infineon
MOSFET, N-CH, 100V, 90A, TO-252-3; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0057ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.7V;
element14 APAC

Imágenes

RS
iiiC
Augswan
RS APAC
Future Electronics
LZChips
LCSC
Rochester Electronics

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IPD068N10N3 G
  • IPD068N10N3-G
  • IPD068N10N3G
  • IPD068N10N3GBTMA1
  • SP000469892
  • SP001127816