Infineon IPD90N10S4L06ATMA1

Mosfet, N-Ch, 100V, 90A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N10S4L06ATMA1
$ 1.022
Production

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IPD90N10S4L06ATMA1.

IHS

Datasheet9 páginasHace 14 años

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-12.64%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IPD90N10S4L06ATMA1 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
Component Search Engine
SímboloFootprint
3DDescargar
EE Concierge
SímboloFootprint
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-11-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Componentes relacionados

100V, N-Ch, 11.5 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T, PG-TO252-3, RoHS
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 90 A, 0.0053 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Mosfet, N-Ch, 80V, 175Deg C, 144W Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N08S405ATMA1
STMicroelectronicsSTD105N10F7AG
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
STMicroelectronicsSTD110N8F6
N-channel 80 V, 0.0056 Ohm typ., 110 A, STripFET F6 Power MOSFET in a DPAK package
MOSFET N-CH 80V 100A DPAK / N-Channel 80 V 100A (Tc) 227W (Tj) Surface Mount TO-252AA

Descripciones

Descripciones de Infineon IPD90N10S4L06ATMA1 suministradas por sus distribuidores.

Mosfet, N-Ch, 100V, 90A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPD90N10S4L06ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 90 A, 0.0058 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
100V, N-Ch, 6.6 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™-T2, PG-TO252-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 100V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 100V, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:90A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.0058ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:1.
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; AEC qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: highest current capability 180A; low switching and conduction power losses for high thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: 48V inverter; 48V DC/DC; HID lighting

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IPD90N10S4L-06
  • IPD90N10S4L-06ATMA1
  • IPD90N10S4L06
  • SP000866562