Infineon IPB90N06S4L04ATMA2

Power MOSFET, N Channel, 60 V, 90 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
$ 1.109
Production

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IPB90N06S4L04ATMA2.

Newark

Datasheet9 páginasHace 17 años

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
+33.35%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IPB90N06S4L04ATMA2 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
EE Concierge
SímboloFootprint
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-03-24
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2016-12-01
LTD Date2017-06-01

Componentes relacionados

N-Channel PowerTrench® MOSFET, 60 V, 110 A, 2.7 mΩ
Diodes Inc.DMTH6004SCTB-13
Mosfet, N-Ch, 60V, 100A, To-263Ab Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH6004SCTB-13
Diodes Inc.DMTH6004SCTBQ-13
Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263
Trans MOSFET N-CH 75V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Lead Free D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS
60V, N-Ch, 6.4 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS

Descripciones

Descripciones de Infineon IPB90N06S4L04ATMA2 suministradas por sus distribuidores.

Power MOSFET, N Channel, 60 V, 90 A, 0.0027 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
60V, N-Ch, 3.4 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T2, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
Trans MOSFET N-CH 60V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
N-Channel 60 V 3.4 mOhm 170 nC OptiMOS®-T2 Power-Transistor -PG-TO263-3-2
Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:90A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.7V; Power Dissipation:150W; No. Of Pins:3Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon IPB90N06S4L04ATMA2.
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; AEC qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: world's lowest RDS at 60V (on); highest current capability; lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; Optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Valves control; Solenoids control; Lighting; Single-ended motors

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IPB90N06S4L-04
  • IPB90N06S4L04
  • IPB90N06S4L04ATMA1
  • IPB90N06S4L04ATMA2.
  • SP000415574
  • SP001028756