Diodes Inc. DMTH6004SCTB-13
$ 1.155
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMTH6004SCTB-13 | 733 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | DMTH6004SCTB-13 | 28.000 | 800 | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | DMTH6004SCTB-13DICT-ND | 758 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMTH6004SCTB-13 | 0 | 800 | 4h | ||||||||
| Avnet | DMTH6004SCTB-13 | 0 | 800 | 8h |
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Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak Package, D2PAK-3, RoHS
STMicroelectronicsSTH140N6F7-2
N-channel 60 V, 0.0028 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-2 package
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMTH6004SCTB-13 suministradas por sus distribuidores.
Mosfet, N-Ch, 60V, 100A, To-263Ab Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMTH6004SCTB-13
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
60V 175°C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET Enh Mode FET 41V to 60V TO263
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 60V, 0.0034ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)100 A
Drain to Source Resistance3.4 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance4.556 nF
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation136 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max3.4 mΩ
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