Infineon IPB64N25S320ATMA1

Power MOSFET, N Channel, 250 V, 64 A, 20 Milliohms, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
$ 3.45
Production
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

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DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
13AC90304581
19h
Newark
2
IPB64N25S320ATMA14581Cut Tape
Rochester ElectronicsIPB64N25S320ATMA147.643
17h
DigiKey
3
IPB64N25S320ATMA1CT-ND17291Cut Tape
Arrow Electronics
2
IPB64N25S320ATMA128871

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IHS

Datasheet9 páginasHace 11 años

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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
InfineonIPB64N25S320ATMA1
InfineonIPB200N25N3GATMA1
Price @ 1000
$ 3.45
$ 3.585
Stock
409,123
1,191,571
Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
TO-263-3
TO-263
Drain to Source Voltage (Vdss)
250 V
250 V
Continuous Drain Current (ID)
64 A
64 A
Threshold Voltage
-
-
Rds On Max
20 mΩ
-
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
300 W
300 W
Input Capacitance
7 nF
5.34 nF

Cadena de suministros

Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-01-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

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Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon IPB64N25S320ATMA1 suministradas por sus distribuidores.

Power MOSFET, N Channel, 250 V, 64 A, 20 Milliohms, TO-263 (D2PAK), 3 Pins, Surface Mount
EBV Elektronik
250V, N-Ch, 20 mΩ max, Automotive MOSFET, D2PAK, OptiMOS™-T, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
Power Field-Effect Transistor, 64A I(D), 250V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
Semicontronic
Mosfet, N-Ch, 250V, 64A, 175Deg C, 300W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:250V; Continuous Drain Current Id:64A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:3V Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IPB64N25S320ATMA1
Newark
Summary of Features: N-channel - Enhancement mode; AEC qualified; MSL1 up to 260C peak reflow; 175C operating temperature; Green Product (RoHS compliant); 100% Avalanche tested | Benefits: low RDS (on) in trench technology- down to 19.3 mOhm; highest current capability 64A; low switching and conduction power losses for high thermal efficiency; robust packages with superior quality and reliability; optimized total gate charge enables smaller driver output stages | Target Applications: Hybrid inverter; DC/DC; Piezo Injection
Infineon

Imágenes

element14 APAC
Farnell
RS
RS
LZChips

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IPB64N25S3-20
  • SP 000876596
  • SP000876596