Infineon IKB20N60H3ATMA1

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
$ 0.988
Production

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IKB20N60H3ATMA1.

Upverter

Datasheet16 páginasHace 15 años

IHS

TME

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-14.86%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IKB20N60H3ATMA1 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
EE Concierge
SímboloFootprint
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
Price @ 1000
$ 0.988
$ 2.398
Stock
358,293
250,934
Authorized Distributors
6
4
Mount
-
Through Hole
Case/Package
TO-263-3
TO-262
Collector Emitter Breakdown Voltage
600 V
600 V
Max Collector Current
40 A
48 A
Power Dissipation
170 W
250 W
Collector Emitter Saturation Voltage
-
1.95 V
Reverse Recovery Time
112 ns
89 ns

Cadena de suministros

Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-08-06
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

Componentes relacionados

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 208000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
600V Warp 60-150 kHz Discrete IGBT in a D2Pak package, D2PAK-3, RoHS
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 156W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
onsemiFGB30N6S2
Tube Surface Mount N-CHANNEL SINGLE IGBT Transistor 2.5V @ 15V 12A 45A 167W 6ns/40ns
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB

Descripciones

Descripciones de Infineon IKB20N60H3ATMA1 suministradas por sus distribuidores.

Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Infineon IKB20N60H3ATMA1 IGBT, 40 A 600 V, 3-Pin PG-TO263-3, Through Hole
IGBT, 40 A, 1.95 V, 170 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
600 V IGBT with anti-parallel diode in TO263 package, PG-TO263-3, RoHS
Infineon SCT
Igbt, Single, 600V, 40A, To-263; Continuous Collector Current:40A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.95V; Power Dissipation:170W; Collector Emitter Voltage Max:600V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies IKB20N60H3ATMA1
High speed 600 V, 20 A hard-switching TRENCHSTOP™ IGBT3 co-packed with free-wheeling diode in a TO263 D2PAK package provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses.

Imágenes

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IKB20N60H3
  • SP000852234