Infineon IKB15N60TATMA1

IKB15N60T Series 600 V 30 A Surface Mount TrenchStop® IGBT - PG-TO-263-3
$ 1.017
Production

Precio y existencias

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IKB15N60TATMA1.

IHS

Datasheet13 páginasHace 10 años
Datasheet13 páginasHace 10 años

Upverter

TME

Farnell

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-0.08%

Modelos CAD

Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IKB15N60TATMA1 desde uno de nuestros socios de confianza.

ORIGENeCADmCADARCHIVOS
EE Concierge
SímboloFootprint
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.

Cadena de suministros

Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-12-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Componentes relacionados

Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 130mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
Copacked 600V IGBT in a D2-Pak package with a hyperfast 1-8 kHz diode, D2PAKCOPAK, RoHS
IRG4BC30KD-SPBF Series 600 V 16 A N-Channel Ultra Fast IGBT - D2PAK-3
onsemiFGB20N6S2
Insulated Gate Bipolar Transistor, 28A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB

Descripciones

Descripciones de Infineon IKB15N60TATMA1 suministradas por sus distribuidores.

IKB15N60T Series 600 V 30 A Surface Mount TrenchStop® IGBT - PG-TO-263-3
IGBT, 26 A, 1.5 V, 130 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pins
IGBT+ DIODE,600V,15A,TO263; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:15A; Collector Emitter Voltage Vces:2.05V; Power Dissipation Pd:130W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:130W
Hard-switching 600 V, 15 A TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO263 D2Pak package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IKB15N60T
  • SP000054882