Infineon IGB10N60TATMA1
$ 0.558
Production
Precio y existencias
Distribuidores autorizados
Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +17.61%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IGB10N60TATMA1.
Modelos CAD
Descargue el símbolo, footprint y modelos en 3D STEP de Infineon IGB10N60TATMA1 desde uno de nuestros socios de confianza.
| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 EE Concierge | SímboloFootprint |
La página web del socio se abrirá en una nueva pestaña al descargar sus modelos CAD
Al descargar modelos CAD de Octopart, usted acepta nuestros Términos y Condiciones y nuestra Política de Privacidad.
Cadena de suministros
Country of OriginGermany, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-10-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Componentes relacionados
onsemiSGW23N60UFDTM
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
STMicroelectronicsSTGB10M65DF2
IGBT 650V 10A D2PAK / IGBT Trench Field Stop 650 V 20 A 115 W Surface Mount D²PAK (TO-263)
Descripciones
Descripciones de Infineon IGB10N60TATMA1 suministradas por sus distribuidores.
Infineon IGB10N60TATMA1 IGBT, 10 A 600 V, 3-Pin D2PAK (TO-263), Surface Mount
IGB10N60T Series 600 V 20 A 110 W Surface Mount Low Loss IGBT - TO-263-3
IGBT,600V,10A,TO263; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:10A; Collector Emitter Voltage Vces:2.05V; Power Dissipation Pd:110W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-40°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Power Dissipation Max:110W
Hard-switching 600 V, 10 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 Discrete in TO263 D2Pak package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: +17.61%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-263-3
Number of Pins3
Number of Terminals2
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage600 V
Collector Emitter Saturation Voltage2.05 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)600 V
Element ConfigurationSingle
Max Breakdown Voltage600 V
Max Collector Current20 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation110 W
Min Operating Temperature-40 °C
Number of Elements1
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation110 W
Schedule B8541290080
Dimensions
Height4.57 mm
Length10.31 mm
Width9.45 mm
Fichas técnicas y documentos
Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon IGB10N60TATMA1.
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento