Infineon BSC016N03LSGATMA1
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2006-10-24
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-09-30
LTD Date2025-03-31
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Single N-Channel 25 V 1.75 mOhm 110 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 5 x 6 mm
NXP SemiconductorsPSMN1R9-25YLC,115
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descripciones
Descripciones de Infineon BSC016N03LSGATMA1 suministradas por sus distribuidores.
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8 / Trans MOSFET N-CH 30V 100A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
MOSFET N-CH 30V 100A 125W TDSON-8 Pb-Free
Power Field-Effect Transistor, 32A I(D), 30V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
PFET, 32A I(D), 30V, 0.0023OHM,
2.5W(Ta),125W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 131nC@ 10 V 1N 30V 1.6m¦¸@ 30A,10V 100A 10nF@15V TDSON-8 5.9mm*5.15mm*1.27mm
BSC016N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
MOSFET, N CH, 100A, 30V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):1.3mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:125W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:100A; Power Dissipation Pd:125W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)32 A
Drain to Source Resistance2.3 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance7.6 nF
Max Dual Supply Voltage30 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance1.6 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation125 W
Rds On Max1.6 mΩ
Rise Time8.6 ns
Schedule B8541290080
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento