Infineon BSC014N04LSTATMA1

Transistor MOSFET N-Channel 650V 20.2A 5-Pin VSON T/R
$ 0.748
NRND
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

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DistributorSKUMinPkg
NewarkBSC014N04LSTATMA154151Cut Tape
Arrow Electronics
2
BSC014N04LSTATMA150001
DigiKey
3
BSC014N04LSTATMA1CT-ND88181Cut Tape
Rochester ElectronicsBSC014N04LSTATMA113.724
22h
AvnetBSC014N04LSTATMA105K
2d

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon BSC014N04LSTATMA1.

Newark

Datasheet13 páginasHace 0 años

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-17.53%
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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
InfineonBSC014N04LSTATMA1
InfineonBSC014N04LSIATMA1
InfineonBSC014N04LSIATMA1
Price @ 1000
$ 0.748
$ 0.958
$ 0.958
Stock
397,393
864,973
864,973
Authorized Distributors
6
6
6
Mount
-
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
32 A
31 A
31 A
Threshold Voltage
-
2 V
2 V
Rds On Max
-
1.45 mΩ
1.45 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
115 W
2.5 W
2.5 W
Input Capacitance
-
4 nF
4 nF

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-05-04
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 3 months ago)

Descripciones

Descripciones de Infineon BSC014N04LSTATMA1 suministradas por sus distribuidores.

Transistor MOSFET N-Channel 650V 20.2A 5-Pin VSON T/R
Avnet
Transistor MOSFET N-CH 40V 100A 8-Pin TDSON T/R
Avnet Japan
OptiMOS™ 5 power MOSFET with enhanced temperature rating for improved robustness, PG-TDSON-8, RoHS
Infineon SCT
MOSFETs; BSC014N04LSTATMA1; INFINEON TECHNOLOGIES; 40 V; 205 A; 20 V; 115 W
Maritex
Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin TDSON EP T/R
Verical
Power Field-Effect Transistor, 205A I(D), 40V, 0.0019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
IHS
Infineon NMOSFET + OptiMOS 5, Vds=40 V, 205 A, TDSON, , 8
UnikeyIC
Infineon MOSFET BSC014N04LSTATMA1
RS APAC
BSC014N04 - 12V-300V N-CHANNEL P
Vigor Components
MOSFET, N-CH, 40V, 100A, 115W, TDSON; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 100A; Drain Source Voltage Vds: 40V; On Resistance Rds(on): 0.0011ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power Dissipation Pd: 115W; Transistor Case Style: TDSON; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: OptiMOS Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Farnell
OptiMOS™ 5 power MOSFET in SuperSO8 package offers the latest technology together with temperature improvements in the package. This new combination enables higher power density as well as improved robustness.Compared to lower rated devices, the 175°C TJ_MAX feature offers either more power at a higher operating junction temperature or longer lifetime at the same operating junction temperature. Furthermore, 20% improvement in the safe operating area (SOA) is achieved. This new package feature is the perfect fit for applications such as telecom, motor drives and server.
Infineon

Imágenes

Farnell
LZChips
RS
Rochester Electronics

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • BSC014N04LST
  • SP001657070