Infineon BCV62BE6327HTSA1

Bipolar Transistor Array, Dual PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, 220 hFE, SOT-143, 4 Pins
$ 0.254
EOL
Página del fabricanteFicha técnica

Precio y existencias

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DistributorSKUMinPkg
Rochester ElectronicsBCV62BE6327HTSA167
1d
AvnetBCV62BE6327HTSA109K
5d
Future Electronics
2
BCV62BE6327HTSA103KTape & Reel
Arrow ElectronicsBCV62BE6327HTSA109K
Microchip USABCV62BE6327HTSA14613K
7d

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon BCV62BE6327HTSA1.

IHS

Datasheet7 páginasHace 14 años

iiiC

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
InfineonBCV62BE6327HTSA1
NexperiaBCV62B,215
NexperiaBCV62B,215
Price @ 1000
$ 0.254
$ 0.294
$ 0.294
Stock
417,671
1,996,167
1,996,167
Authorized Distributors
4
6
6
Mount
Surface Mount
-
-
Case/Package
SOT-143
-
-
Polarity
PNP
PNP
PNP
Collector Emitter Breakdown Voltage
30 V
-
-
Max Collector Current
100 mA
100 mA
100 mA
Transition Frequency
250 MHz
100 MHz
100 MHz
Collector Emitter Saturation Voltage
650 mV
650 mV
650 mV
hFE Min
220
220
220
Power Dissipation
300 mW
250 mW
250 mW

Cadena de suministros

Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1991-05-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 3 weeks ago)
LTB Date2026-12-31
LTD Date2028-03-31

Componentes relacionados

NXP SemiconductorsBFG520/XR,215
RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 1-Element, L Band, Silicon, NPN
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon BCV62BE6327HTSA1 suministradas por sus distribuidores.

Bipolar Transistor Array, Dual PNP, 30 V, 100 mA, 300 mW, 220 hFE, SOT-143, 4 Pins
EBV Elektronik
BCV62 Series PNP 30 V 100 mA SMT Silicon Double Transistor - SOT-143-4
Future Electronics
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ComSIT Distribution GmbH
Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 300mW Automotive 4-Pin SOT-143 T/R
Win Source
PNP (Dual) Transistors for Current Mirror Application, SOT143-4-1, RoHS
Infineon SCT
Transistor Polarity = PNP / Configuration = Dual / Continuous Collector Current (Ic) mA = 100 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 30 / DC Current Gain (hFE) = 290 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 30 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 6 / Operating Temperature Max. °C = 155 / Transit Frequency MHz = 250 / Power Dissipation (Pd) mW = 300 / Package Type = TO-253-4 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 650 / Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat)) mV = 850
Distrelec

Imágenes

Infineon
Augswan
RS
Distrelec
Future Electronics
TME
LZChips
iiiC

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • BCV 62B
  • BCV 62B E6327
  • BCV62B
  • BCV62B E6327
  • BCV62BE-6327
  • BCV62BE6327
  • SP000010890