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Infineon AUIRLS3036

Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-PAK Package, D2PAK-3, RoHS
$ 2.04
Obsolete
Ficha técnica
Página del fabricante

Precio y existencias

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Distribuidor
SKU
Mín.
Pkg
Precios por volumen
Rochester Electronics
AUIRLS3036
30
USD
2,280
2,040
1,920
1h
RS (Formerly Allied Electronics)
AUIRLS3036
0
3K
Bulk
USD
2,790
14h
Worldway Electronics
AUIRLS3036
4250
7
Bulk
USD
1,525
1,496
1,439
1,410
2d
Aztech
AUIRLS3036
707
USD
15,990
15,990
15,990
15,990
15,990
2d
SHENGYU ELECTRONICS
AUIRLS3036
12.363
1
USD
1,276
1,250
1,210
1,170
1,120
6d

Fichas técnicas y documentos

Descargar fichas técnicas y documentación del fabricante para Infineon AUIRLS3036.

IHS

Datasheet10 páginasHace 10 años
Datasheet12 páginasHace 12 años

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

Historial de existencias

Tendencia de 3 meses:
-28.57%
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Componentes alternativos

Este componente
Componentes alternativos
InfineonAUIRLS3036
InfineonIRLS3036TRLPBF
InfineonIRLS3036TRLPBF
Price @ 1000
$ 2.04
$ 1.642
$ 1.642
Stock
54,071
358,260
358,260
Authorized Distributors
2
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
D2PAK
D2PAK
D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
60 V
60 V
Continuous Drain Current (ID)
195 A
195 A
195 A
Threshold Voltage
1 V
2.5 V
2.5 V
Rds On Max
2.4 mΩ
2.4 mΩ
2.4 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
16 V
16 V
16 V
Power Dissipation
380 W
380 W
380 W
Input Capacitance
11.21 nF
11.21 nF
11.21 nF

Cadena de suministros

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-08-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

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onsemiFDB039N06
Trans MOSFET N-CH 60V 174A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Detalles

Descripciones

Descripciones de Infineon AUIRLS3036 suministradas por sus distribuidores.

Automotive Q101 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-PAK Package, D2PAK-3, RoHS
Infineon SCT
Transistor MOSFET N-ch 60V 190A D2PAK
RS (Formerly Allied Electronics)
Trans MOSFET N-CH 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
Avnet
AUTOMOTIVE GRADE HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 195A I(D), 60V, 0.0024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB
ComSIT Distribution GmbH
Benefits: Advanced process technology; Ultra-low on-resistance; 175C operating temperature; Fast switching; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified | Target Applications: Braking
Infineon
MOSFET, N-CH, 60V, 270A, D2PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:195A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.0019ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:380W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:175°C; Transistor Case Style:TO-263; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012); Operating Temperature Range:-55°C to +175°C
Farnell

Imágenes

Infineon
element14 APAC
RS (Formerly Allied Electronics)
Farnell
Rochester Electronics

Alias de fabricantes

Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Alias del número de componente

Este componente podría ser conocido por estos números de componente alternativos:

  • IRFAUIRLS3036
  • SP001521322