Infineon AUIRF7739L2TR
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Stock
478,636
59,073
Authorized Distributors
4
2
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
-
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
40 V
Continuous Drain Current (ID)
46 A
46 A
Threshold Voltage
-
2.8 V
Rds On Max
1 mΩ
1 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
3.8 W
125 W
Input Capacitance
11.88 nF
11.88 nF
Cadena de suministros
Country of OriginMalaysia, Mexico
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-01-05
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 2 weeks ago)
LTB Date2026-10-15
LTD Date2027-04-15
Componentes relacionados
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40V, N-Ch, 0.77 mΩ max, Automotive MOSFET, TOLL, OptiMOS™-T2, PG-HSOF-8-1, RoHS
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MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK / Trans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
onsemiFDBL9403-F085
Power Field-Effect Transistor, 240A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
onsemiNTMFS5C404NLT1G
Power Field-Effect Transistor, 339A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descripciones
Descripciones de Infineon AUIRF7739L2TR suministradas por sus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH Si 40V 46A 15-Pin Direct-FET L8 T/R Automotive AEC-Q101
A 40V Automotive Grade Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a DirectFET L8 package rated at 270 amperes optimized with low on resistance for applications such as motor drive, high frequency DC-DC and other heavy load systems. Shipped in Tape and Reel o
N Channel, MOSFET, 40V, 270A, DirectFET L8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:270A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):700µohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V ;RoHS Compliant: Yes
Benefits: Advanced process technology; Exceptionally small footprint and low profile; High power density; Low parasitic parameters; Dual-sided cooling; 175C operating temperature; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant and halogen free; Automotive qualified | Target Applications: Audio; Automotive 12V Power Supply; Brushless Motor Drive; Electric Power Steering
Alias de fabricantes
Infineon tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Infineon también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificaciones técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals9
Technical
Continuous Drain Current (ID)46 A
Drain to Source Breakdown Voltage40 V
Drain to Source Resistance1 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time42 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance11.88 nF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation125 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance1 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation3.8 W
Rds On Max1 mΩ
Rise Time71 ns
Turn-Off Delay Time56 ns
Turn-On Delay Time21 ns
Dimensions
Height820 µm
Length9.144 mm
Width7.1 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento