Diodes Inc. ZXTP5401ZTA
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-08-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 1 month ago)
LTB Date2025-01-07
LTD Date2025-07-08
Componentes relacionados
Diodes Inc.DXT5401-13
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
onsemiKSA1201OTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP Single Bipolar (BJT) Transistor 80 @ 100mA 5V 800mA 1W 120MHz
onsemiKSA1201YTF
Tape & Reel (TR) Surface Mount PNP Bipolar (BJT) Transistor 120 @ 100mA 5V 800mA 1W 120MHz
Diodes Inc.2DB1188R-13
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXTP5401ZTA suministradas por sus distribuidores.
ZXTP5401Z PNP 150 V 1.2 W High Voltage Transistor Surface Mount - SOT-89-3
Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 1200mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
500mV@ 5mA,50mA PNP 1.2W 5V 50nA 160V 150V 600mA SOT-89-3 4.6mm*2.6mm*1.6mm
Trans, Pnp, 150V, 0.6A, 150Deg C, 1.2W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXTP5401ZTA
Bipolar Transistors - BJT PNP 150V 0.6A
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)160 V
Collector Emitter Breakdown Voltage150 V
Collector Emitter Saturation Voltage-500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)150 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min50
Max Breakdown Voltage150 V
Max Collector Current600 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1.2 W
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height1.6 mm
Length4.6 mm
Width2.6 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento