Diodes Inc. 2DB1188R-13
$ 0.203
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | 2DB1188R-13 | 2490 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | 2DB1188RDICT-ND | 724 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | 2DB1188R-13 | 0 | 1 | 1d | ||||||||
| Future Electronics | 2DB1188R-13 | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | 2DB1188R-13 | 0 | 2500 | 1d |
Historial de existencias
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Modelos CAD
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0 piezas disponibles
Fichas técnicas y documentos
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| ORIGEN | eCAD | mCAD | ARCHIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloFootprint | 3D | Descargar |
 SnapEDA | Footprint | Descargar |
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Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. 2DB1188R-13 suministradas por sus distribuidores.
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 32V 2A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
BIPOLAR TRANSISTOR MEDIUM POWER PNP SOT-89
Trans, Pnp, 32V, 2A, 150Deg C, 1W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. 2DB1188R-13
800mV@ 200mA,2A PNP 1W 6V 100nA 40V 32V 2A SOT-89-3 1.6mm
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historial de existencias
Tendencia de 3 meses: -48.01%
Modelos CAD
Descargar símbolo, footprint y 3D STEP
Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage32 V
Collector Emitter Saturation Voltage800 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)32 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency120 MHz
Gain Bandwidth Product120 MHz
hFE Min180
Max Breakdown Voltage32 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Transition Frequency120 MHz
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.48 mm
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento