Diodes Inc. ZXTN19100CGTA
$ 0.412
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | ZXTN19100CGTA | 37 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | ZXTN19100CGTA | 36 | 1 | |||||||||
| Verical | ZXTN19100CGTA | 36 | 21 | |||||||||
| DigiKey | ZXTN19100CGCT-ND | 1083 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | ZXTN19100CGTA | 0 | 1K | Tape & Reel |
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Cadena de suministros
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-02-15
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.ZXTN25100DGTA
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 3 A, 3 W, SOT-223, Surface Mount
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXTN19100CGTA suministradas por sus distribuidores.
ZXTN19100CG Series NPN 100 V 5.5 A Medium Power Transistor SMT - SOT-223-3
Trans GP BJT NPN 100V 5.5A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Power Bipolar Transistor, 5.5A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
Trans, Npn, 100V, 5.5A, 150Deg C, 3W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXTN19100CGTA
430mV@ 550mA,5.5A NPN 3W 7V 50nA 200V 100V 5.5A SOT-223-3 1.65mm
Bipolar Transistors - BJT NPN 100V 5.5A
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)200 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage430 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min130
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current5.5 A
Max Frequency150 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation10.2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation5.3 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency150 MHz
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento