onsemi PZTA28
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Cadena de suministros
Country of OriginPhilippines
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.21.00.95
Introduction Date1996-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)
Descripciones
Descripciones de onsemi PZTA28 suministradas por sus distribuidores.
PZTA28 Series 1 W 80 V 0.8 A Surface Mount NPN Darlington Transistor - SOT-223
NPN DARLINGTON TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans Darlington NPN 80V 0.8A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
80V 1W 800mA 10000@10mA5V 125MHz 1.5V@100mA100Ã×A NPN -55¡Í~+150¡Í@(Tj) SOT-223 Bipolar Transistors - BJT ROHS
NPN Darlington Transistor This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 500 mA. Sourced from Process 03.
Transistor; Transistor Type:Darlington; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:80V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):1.2V; Power Dissipation, Pd:1000mW; DC Current Gain Min (hfe):10000 ;RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
onsemi tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. onsemi también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Weight188 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage1.2 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Current Rating800 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)12 V
Gain Bandwidth Product125 MHz
hFE Min10000
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current800 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541210080
Transition Frequency125 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height1.8 mm
Length6.5 mm
Width3.56 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento