Diodes Inc. ZXMP6A17GQTA
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-05-12
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 2 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.ZXMP7A17GQTA
Trans MOSFET P-CH 70V 2.6A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Diodes Inc.DMP6185SE-13
1.2W(Ta) 20V 3V@250µA 14nC@10V P-Ch MOSFET 60V 150mΩ@2.2A,10V 3A 708pF@30V SOT-223-3 SMD
InfineonBSP171PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223 / Trans MOSFET P-CH 60V 1.9A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Diodes Inc.DMP6023LE-13
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7A; 0.028ohm; 2W; -55+150 deg.C; SMD; SOT223
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXMP6A17GQTA suministradas por sus distribuidores.
MOSFET P-Ch 2W(Ta) 20V 1V@250µA 17.7nC@10V 60V 125mΩ@2.2A,10V 3A 637pF@30V SOT-223-3 SMD
ZXMP6A17GQ Series 60 V 3 A P-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-223
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 3 A, 0.096 ohm, SOT-223, Surface Mount
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-261-4
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vds)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time11.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance637 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.9 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape (CT)
Rds On Max125 mΩ
Rise Time3.4 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time26.2 ns
Turn-On Delay Time2.6 ns
Fichas técnicas y documentos
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento