Diodes Inc. DMP6185SE-13
$ 0.207
Production
Precio y existencias
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Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMP6185SE-13 | 2732 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DMP6185SE-13 | 47.464 | 384 | |||||||||
| Arrow Electronics | DMP6185SE-13 | 47.464 | 384 | |||||||||
| DigiKey | DMP6185SE-13DICT-ND | 1527 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMP6185SE-13 | 0 | 1 | 4h |
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 EE Concierge | SímboloFootprint | ||
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2014-01-21
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7A; 0.028ohm; 2W; -55+150 deg.C; SMD; SOT223
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. DMP6185SE-13 suministradas por sus distribuidores.
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 3 A, 0.11 ohm, SOT-223, Surface Mount
1.2W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 14nC@ 10 V 1P 60V 150m¦¸@ 2.2A,10V 3A 708pF@30V SOT-223-3
Mosfet, P-Ch, 60V, 3A, Sot-223 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP6185SE-13
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Historial de existencias
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Modelos CAD
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Componentes alternativos
0 piezas disponibles
Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageTO-261-4
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance708 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.2 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation2.2 W
Rds On Max150 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time33 ns
Turn-On Delay Time5.2 ns
Dimensions
Height1.8 mm
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