Diodes Inc. ZXMP3A17DN8TA
$ 0.675
Production
Precio y existencias
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Distribuidores no autorizados
Vendedores no autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | ZXMP3A17DN8TA | 0 | 500 | 11h | ||||||||
| Avnet | ZXMP3A17DN8TA | 0 | 500 | 15h | ||||||||
| Future Electronics | ZXMP3A17DN8TA | 0 | 500 | Tape & Reel | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | ZXMP3A17DN8TA | 0 | 25 | Bulk | 5h | |||||||
| Arrow Electronics | ZXMP3A17DN8TA | 0 | 500 |
Historial de existencias
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Cadena de suministros
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-08-02
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Componentes relacionados
Diodes Inc.ZXMC3A17DN8TA
Dual N & P Channel 30 V 5.4 A 1.25 W Surface Mount Complementary Mosfet - SOIC-8
InfineonIRF7316TRPBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID -4.9A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXMP3A17DN8TA suministradas por sus distribuidores.
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 30V 4.4A 8-Pin SOIC T/R
Dual P-Channel 30 V 0.07 Ohm Enhancement Mode MOSFET - SOIC-8
2.1W 20V 1V@ 250¦ÌA 8.28nC@ 5V 2P 30V 70m¦¸@ 3.2A,10V 3.4A 630pF@15V SOIC-8 5mm*4mm*1.5mm
Trans MOSFET P-CH 30V 4.4A Automotive 8-Pin SOIC T/R
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.4 A
Current Rating-4.4 A
Drain to Source Resistance70 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time8.72 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance630 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Rds On Max70 mΩ
Resistance70 mΩ
Rise Time2.87 ns
Turn-Off Delay Time29.2 ns
Turn-On Delay Time1.74 ns
Voltage Rating (DC)-30 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento