Diodes Inc. ZXMHC6A07N8TC
$ 0.521
Production
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | ZXMHC6A07N8TC | 10 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | ZXMHC6A07N8DICT-ND | 18.231 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | ZXMHC6A07N8TC | 0 | 1 | 8h | ||||||||
| Avnet | ZXMHC6A07N8TC | 0 | 2500 | 6d | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | ZXMHC6A07N8TC | 0 | 5 | Bulk | 1h |
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SI9945BDY Series 60V 0.058 Ohm 20nC Dual N-Channel Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Descripciones
Descripciones de Diodes Inc. ZXMHC6A07N8TC suministradas por sus distribuidores.
Quad N/P-Channel 60 V 0.35/0.60 Ohm 3.2/5.1 nC 0.87 mW Silicon Mosfet SOIC-8
60V SO8 Complementary enhancement mode MOSFET H-Bridge, 0.87 W, RoHS
Diodes Inc SCT
Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R
MOSFET DUAL N/P-CH 60V 1.8A/1.42A SOIC8
DiodesZetex N/PMOS, Vds=60 V, 1.4 A,1.8 A, SOIC, , 8
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.39A I(D), 60V, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, P/N沟道, 60V, 1.39A;
MOSFET, COMP N/P-CH, 60V, 1.39A, SOIC; Channel Type:Complementary Dual N and Dual P Channel; Drain Source Voltage Vds N Channel:60V; Drain Source Voltage Vds P Channel:60V; Continuous Drain Current Id N Channel:1.39A; Product Range:-RoHS Compliant: Yes
Alias de fabricantes
Diodes Inc. tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Diodes Inc. también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.39 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance250 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Fall Time5.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance166 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.36 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels4
Number of Elements4
Power Dissipation1.36 W
Rds On Max250 mΩ
Rise Time2.3 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time13 ns
Turn-On Delay Time1.6 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
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Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento