Vishay SI7949DP-T1-E3
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| Arrow Electronics | SI7949DP-T1-E3 | 6000 | 3K | |||||||||
| Verical | SI7949DP-T1-E3 | 3000 | 3K | |||||||||
| Future Electronics | SI7949DP-T1-E3 | 3000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Rutronik | LVMOS1523 | 6000 | 3K | 1h |
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Authorized Distributors
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
-
Continuous Drain Current (ID)
3.2 A
3.2 A
Threshold Voltage
-3 V
-3 V
Rds On Max
64 mΩ
64 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
Power Dissipation
1.5 W
1.5 W
Input Capacitance
-
-
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2.1W 20V 1V@ 250¦ÌA (Min) 20.4nC@ 10V 2N+2P 60V 55m¦¸@ 4.5A,10V 3.6A,2.6A 1.063nF@30V SOIC-8
Descripciones
Descripciones de Vishay SI7949DP-T1-E3 suministradas por sus distribuidores.
Dual P-Channel 60 V 0.064 Ohms Surface Mount Power Mosfet - PowerPAK SO-8
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 60V 3.2A 8-Pin PowerPAK SO T/R
3.5W 20V 3V@ 250¦ÌA 40nC@ 10V 2P 60V 64m¦¸@ 5A,10V 3.2A 1.8nF PPAKSO-8 4.9mm*5.89mm*1.07mm
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Alias de fabricantes
Vishay tiene diversas marcas a nivel mundial que los distribuidores pueden usar como nombres alternativos. Vishay también podría ser conocido por los siguientes nombres:
- VIS
- VISH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
- Vishay Thin Film
- Vishay Intertechnology
- VISHA
- Vishay Semiconductors
- VISAHY
- Vishay Intertech
- VISHY
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
- Vishay Intertechnologies
- Vishay General Semiconductor - Diodes Division
- Vishay Semiconductor Opto Division
- VSHAY
- VISH/IR
- VSHY
- VSH
- VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
- VISHAY ELECTRONIC
- VISHAY AMERICAS INC
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- VISHAY OPTO
- Vishay Techno
- VISHAY FOIL RESISTORS
- Vishay Semiconductor
- Vishay Sfernice
- Vishay Siliconix
- Vishay Dale
- Vishay BCcomponents
- Vishay Angstrohm
- Vishay Draloric
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Especificaciones técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals6
Weight506.605978 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance64 mΩ
Element ConfigurationDual
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.5 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation1.5 W
Rds On Max64 mΩ
Resistance64 mΩ
Rise Time9 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-3 V
Turn-Off Delay Time65 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height1.04 mm
Length4.9 mm
Width5.89 mm
Cumplimiento
Clasificación ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declaraciones de cumplimiento